功率器件

硅(Si)作为半导体行业第一代基础材料，其带隙窄，电子迁移率和击穿电场较低 ，在高频高功率器件方面，硅的应用受到诸多限制 。

碳化硅（SiC）材料具有禁带宽度大（Si的3倍）、绝缘击穿场强高（Si的7倍）、电子饱和漂移速率高 （Si的2倍）和热导率高（Si的3倍）等性质。

SiC器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域有着不可替代的优势 ，弥补了传统半导体材料器件在实际应用中的缺陷，正逐渐成为功率半导体的未来趋势 。

储能领域应用优势

APPLICATION ADVANTAGES

应用场景

APPLICATION SCENARIOS

产业链优势

INDUSTRY CHAIN ADVANTAGE

晶圆稳定供应： 

已经与头部Fab厂签订晶圆协议，产品流片到晶圆量产，可稳定供应，且具备成本优势。 

自主研发：

从SiC芯片到模组，自主研发。依靠强大产业链掌控力，可以完成全产业链共同协作。  

深度满足客户需求：

已经与多家下游客户签订合作协议。可提供客制化产品可迅速实现量产和规模营收。  

产品介绍

SiC 模组可根据不同场景，提供定制化产品和解决方案